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TP2520N8-G相关型号
Microchip热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • TP2520N8-G

  • 制造商:Microchip Technology
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)260mA(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)12 欧姆 @ 200mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)2.4V @ 1mA
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)125pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-243AA(SOT-89)
  • 封装/外壳TO-243AA

其它信息

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